| Blacksmith | 蘇黎世聯邦理工學院 | ETH Zurich | COMSEC | DRAM | 漏洞 | CVE-2021-42114 | Rowhammer | 位元翻轉 | TRR | 資安

新的Rowhammer攻擊技術可繞過DDR4記憶體的現有防禦，成功率百分之百

蘇黎世聯邦理工學院COMSEC團隊公布DRAM新漏洞CVE-2021-42114 ，能在40款來自三星、美光及SK海力士等業者生產的DRAM裝置上、觸發Rowhammer位元翻轉現象，可能讓惡意程式取得系統最高權限或繞過安全沙箱

2021-11-17

| 記憶體 | DDR4 | Rowhammer | DRAM | 漏洞 | TRRsspass

研究：現今的DDR4記憶體依然無法免疫於Rowhammer攻擊

2012年爆發針對動態隨機存取記憶體（DRAM）的Rowhammer攻擊危機，普遍存在於PC、伺服器以及手機等裝置，過去為了防範Rowhammer攻擊，記憶體產業全面在產品上部署了名為TRR的各式解決方案，然而，現在有研究人員宣布打造出新的攻擊工具，可以繞過業者的TTR修補，而且也能成功攻陷最新的DDR4記憶體

2020-03-13

| RAMBleed | Rowhammer | DRAM | 資安

研究人員以RAMBleed攻擊，竊取存在記憶體中的機密

RAMBleed是基於Rowhammer的新型攻擊，相較於過去與Rowhammer相關的攻擊行動都是變更或寫入記憶體資訊，RAMBleed號稱可讀取存在於記憶體中的所有資料

2019-06-12

| MIT | DRAM | 快閃儲存 | Graph data

跑大量圖學資料不用昂貴DRAM，MIT：用快閃儲存記憶體就可以了!

跑Graph資料不再需要昂貴的DRAM，快閃儲存記憶體也能做到，MIT電腦科學和人工智慧實驗室最近設計了一套透過便宜的快閃儲存設備，搭配自行開發的演算法，只需要單機，就能處理大量Graph資料。

2018-06-01

| 手機 | DRAM | 漏洞

手機DRAM有漏洞，駭客可竊取手機最高權限

駭客鎖定手機DRAM存在的Rowhammer漏洞，只要重複造訪隔壁列的記憶元，造成記憶體控制電路電壓波動，影響目標記憶體列，造成位元翻轉現象，在持續變更記憶體內的位元，最終將能操控作業系統數據並取得最高權限。

2016-10-25

| 三星 | DRAM

三星開始量產12Gb LPDDR4 DRAM，智慧型手機記憶體上看6GB

12Gb LPDDR4可在單一封裝中以雙晶片組成3GB RAM，或以4晶片組成6GB，也是市面上唯一提供6GB LPDDR4封裝的解決方案。

2015-09-10

| 王盈勛 | 紫光 | 美光 | Micron | DRAM

紫光併美光，臺灣不會死光光

近日媒體報導，中國清華紫光集團出價230億美元，希望能併購美國DRAM大廠美光(Micron)。此事還未成真，但已引起臺灣的高度重視（或緊張）

2015-07-25

| 固態儲存 | DRAM | Flash

固態儲存的世代交替：從DRAM到Flash記憶體

長久以來，企業級純固態儲存設備都是以DRAM作為儲存媒體，雖然效能極高，但連帶也有高成本、斷電因應措施複雜等缺點，近年來隨著NAND Flash記憶體的普及，讓固態儲存裝置有了新的發展

2012-10-29

| 固態儲存 | DRAM | Flash

Flash-based純固態儲存設備｜ Nimbus Data S255M 伺服器等級的硬體組態

支援光纖通道、10GbE、InfiniBand等多種傳輸介面，橫跨SAN與NAS兩種儲存服務

2012-10-19

| 固態儲存 | DRAM | Flash

Flash-based固態儲存設備現況

Flash-based固態儲存設備領域的供應商以新創小廠為主，不過IBM與EMC近來都透過併購進入了Flash-based純固態儲存設備市場

2012-10-19

| 固態儲存 | DRAM | Flash

DRAM-based固態儲存設備現況

目前NAND Flash已取代DRAM成為固態儲存媒體的主流，不過基於DRAM的效能優勢，仍有少數廠商如TMS、Kove與Vion等，繼續提供DRAM式固態儲存設備

2012-10-19