市場研究機構iSuppli週一(8/9)表示,由於製造設備供應不順,再加上製程移轉問題,DRAM市場下半年可能會浮現缺貨問題。
分析師表示,今年DRAM市場預計總共將出貨相當於159億顆1Gb記憶體,較去年的107億顆增加48.6%。主要的成長將來自於下半年需求,預估第三、第四季的位元成長率為11%。但是,要在六個月內達到這樣的成長幅度,將會對DRAM業者的生產能力帶來重大挑戰。
iSuppli認為,有兩個問題將影響DRAM的供應產能,甚至有可能讓今年的DRAM市場以供不應求結局收場。一個是製造設備的供應,另一項是採用浸潤式(immersion)微影技術造成的良率挑戰。
首先,全球最大的半導體微影設備業者ASML供貨能力吃緊,到今年底前只能再出貨13台浸潤式掃描機,將不足以解決目前的產能短缺問題。而第二個問題可能更為嚴重,若業者無法克服浸潤式微影技術的良率挑戰,當製程進展至必須採用此技術的50奈米以下時,將會對產業的整體成長帶來更大的衝擊。
iSuppli表示,以爾必達(Elpida)為例,它在第二季轉換至45奈米製程時就面臨良率問題。若是無法解決,Elpida以及其台灣合作夥伴瑞晶(Rexchip)的位元成長目標都將受到影響。
若考慮這些因素,iSuppli表示,今年DRAM市場的位元成長率可能會較預計的49%下修2~4個百分點至45%。當然,供貨吃緊會造成價格的攀升,但能因此而受益的廠商只有像是三星、美光(Micron)等已克服浸潤式微影技術挑戰的龍頭業者。(編譯/范眠)
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