Intel/美光聯手推升NAND記憶體速度

美光（Micron）上週五（2/1）發表與Intel合作開發的NAND記憶體技術，可將NAND傳輸速度提升五倍。首款產品計畫於今年下半年上市，可望有效加速NAND記憶卡和固態硬碟（Solid State Disk, SSD）的效能。

高速NAND記憶體是由Intel、美光所合資的IM Flash Technologies公司製造，屬於SLC（Single-level-cell）型的快閃記憶體，其讀取速率為200 MB/s、寫入速度則是100 MB/s，相較於目前市場上的SLC NAND記憶體，讀取速度為40 MB/s、寫入速度20 MB/s，整體而言快了五倍。

據各媒體引述美光指出，首款高速NAND記憶體將是8 Gigabit，於今年下半年上市。

目前，NAND記憶體除了逐漸導入筆記型電腦和各種行動式裝置，甚至在企業儲存市場也有需求。美光NAND副總Frankie Roohparvar表示，固態硬碟和NAND多媒體記憶卡市場接受度高，客戶需要更高效能的NAND記憶體。

Intel與美光研發的高速NAND記憶體支援ONFI（Open NAND Flash Interface）2.0標準，以及高速傳輸介面PCI express，和即將面市的USB 3.0規格。美光指出，在混合式硬碟中使用高速NAND記憶體，可提供比傳統硬碟快二至四倍的讀寫速度，而在數位錄影機、HDTV上使用，則能使高畫質檔案的傳送速度快上五倍。此外，USB 3.0具備比USB 2.0快十倍的頻寬，對於影音需求高及攝影專業市場，有極大吸引力。

ONFI標準制定小組於2006年成立，成員有Intel、美光、意法半導體（STMicroelectronics）、海力士半導體（Hynix Semiconductor）、群聯電子（Phison Electronics）和Sony等30多家公司，目的是開發NAND快閃記憶體的標準規格。不過，目前NAND記憶體市場的前二大廠商Samsung及Toshiba，並沒有加入ONFI標準制定小組。

NAND記憶體快速、耐用、體積小的優點，使其在手機、PDA、MP3隨身聽等手持式產品上需求不斷，而筆記型電腦和企業儲存市場也逐漸接受新型態的固態硬碟，未來各大廠商在NAND速度、密度上的技術競賽，也將愈演愈烈。（編譯/黃品如）