基於64層3D快閃記憶體架構，東芝推出超大容量企業級SSD

在2017年4月獨立之後的Toshiba Memory公司（TMC），在8月舉行的Flash Memory Summit大會，發表了兩款企業級固態硬碟，分別是採用NVMe介面的CM5系列，以及支援12Gb SAS介面的PM5系列，都是基於該公司發展的64層BiCS Flash技術而成，並且具備更強的存取效能與全新的功能特色。

其中的CM5系列，是該公司的新一代NVMe SSD，支援雙埠配置（Dual Port），因此可使用多串流寫入技術（multi-stream write），此外，這裡也支援NVMe over Fabric環境所需的多種功能，像是分散-收集清單（Scatter-gather List，SGL），以及控制器記憶體緩衝（Controller Memory Buffer，CMB）。以CMB來說，它可以運用固態硬碟本身配備的DRAM記憶體，作為主機端的記憶體，如此將可減少主機端的記憶體用量，並且提升系統存取速度。

值得注意的是，CM5系列也支援持續記憶體區塊（Persistent Memory Region，PMR），同樣可運用固態硬碟內建的DRAM記憶體，以此擴充主機端的系統記憶體，但與CMB的差別在於，PMR所儲存的內容較為持久，可跨越電源開關週期，以及系統重新啟動階段，因此，可兼具快閃記憶體與持續記憶體的特性，而不需動用到昂貴的NVDIMM這類記憶體，也能保存資料內容。有了這項功能之後，在SSD當中執行詮釋資料的搬移時，例如，事件記錄、日誌保留與應用系統準備上線，可減少相關作業的成本。

Toshiba推出的新款企業級NVMe SSD，支援了Controller Memory Buffer（CMB），以及Persistent Memory Region（PMR），就成效而言很近近，但兩者有何不同？
我們看到去年Flash Memory Summit大會，剛好有人在討論到這部份。例如，NVM Express工作小組在報告NVMe的發展藍圖時，也提及Persistent Memory Region（PMR），並且表明PMR與CMB之間的差異。

而I/O存取效能的部份，在CM5系列每日寫入量為5的機型當中，隨機讀寫可達到80萬IOPS和24萬IOPS，若是每日寫入量為3的機型，隨機寫入效能則為22萬IOPS。

另一款TMC同時推出的PM5系列，則強調具有更大的儲存容量與耐用性，可提供高達30.72 TB的資料儲存空間，並增設每日寫入量為10的機型，其I/O效能也相當突出，在循序讀寫的作業上，可達到3,350 MB/s和2,720 MB/s，若是隨機讀取的作業，則為40萬IOPS。

此外，該系列SSD採用了4埠的組態，並支援MultiLink SAS架構——是由SCSI貿易協會（STA）提出的硬碟連接標準，可提供更高的I/O傳輸頻寬，也因為採用這樣的設計，而能使SAS SSD的效能逼近PCIe SSD的水準。

若單就固態硬碟本身的特色來看，PM5系列也支援多串流寫入技術，能夠更聰明地管理與區分多種資料，減少寫入放大的效應，以及頻繁執行無效空間回收作業的狀況，而能降低整體延遲，提升耐用度與效能，以及妥善控管服務品質（QoS）。

產品資訊

Toshiba CM5系列和PM5系列
●原廠：Toshiba Memory Corporation
●建議售價：廠商未提供
●製程技術：64層3D NAND（BiCS Flash）
●儲存容量：CM5系列為800 GB到15.36 TB，PM5系列為400 GB到30.72 TB
●外型：2.5吋
●使用介面：PM5系列為12Gb SAS，CM5系列為PCIe 3.0 x4
●耐用度：每日寫入量為1、3、5（PM系列可提供到10）

【註：規格與價格由廠商提供，因時有異動，正確資訊請洽廠商】