東芝發表可取代SRAM的更省電新型STT-MRAM技術

東芝週一（12/10）發表智慧型手機與平板電腦行動處理器（Mobile Processor）專用的非揮發性磁電阻式隨機存取記憶體（STT-MRAM）最新研發成果，耗電量只有現在使用SRAM記憶體的處理器1/3。

新型STT-MRAM與傳統型「運作速度/耗電量」呈正比的特徵相反，只需傳統型STT-MRAM耗電量的10％即可運作，而且仍可保持高速運作，這全都歸功於研發團隊改良垂直磁化方式的STT-MRAM記憶體結構，將記憶體裝置縮小至30nm以下才能辦到。

此外，由於針對迴路設計了可抑制記憶體漏電流（Leakage Current）的結構，因此不論處於運作狀態或待機狀態都不會產生漏電流，實現了常閉狀態（Normally-Off ）的迴路結構，使裝置更省電。

東芝表示這次研發揭示了以STT-MRAM代替SRAM的可能性，同時兼具更加省電的特性，今後將繼續改良此技術促其盡早商用化。本技術預於12/11、12/12兩天在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）發表3篇相關技術論文。（編譯/張嵐霆）