英特爾、美光發表20奈米NAND快閃記憶體

英特爾(Intel)和美光(Micron)週四(4/14)宣佈，已完成20奈米製程技術的NAND快閃記憶體開發，推出8GB容量的多層單元(MLC) NAND Flash元件。

英特爾表示，智慧型手機和平板電腦裝置日益提升的儲存容量，推動了對NAND快閃記憶體的更多需求。此新款20奈米8GB元件尺寸僅有118mm2，較現有25奈米產品可縮小30%至40%的電路板空間，但仍保有相近的效能與可靠度。對智慧型手機和平板電腦製造商來說，便可利用這多出來的空間增強產品設計，像是採用更大的電池、較大的螢幕、或是多選用一顆其他晶片以處理新的功能。

這款新元件是由英特爾和美光的合資公司 IM Flash Technology所製造，是目前業界最先進的NAND Flash製程技術，在相同面積上，可較前一代的25奈米技術增加約50%的儲存容量。

此20奈米8GB元件現已開始送樣，預計於今年下半年進入量產。屆時，16GB元件亦可望開始送樣，能夠打造出僅有郵票大小的128GB固態硬碟(SSD)方案。(編譯/范眠)