英特爾/美光發表25奈米NAND記憶體

英特爾（Intel）和美光（Micron）週一（2/1）宣佈，已成功開發25奈米NAND快閃記憶體技術。8GB晶粒目前開始提供樣品，預計第二季開始出貨。

25奈米製程技術是目前業界最先進的NAND技術，這是由英特爾和美光兩家公司共同開發，並由其合資企業IM Flash Technology (IMFT)負責生產。目前，已開始製造25奈米的單晶粒8GB NAND記憶體，尺寸只有167mm2。

IMFT於是2006年成立，初期是以50奈米製程技術為主，隨後於2008年移轉至34奈米，現又成功跨入25奈米技術。英特爾和美光表示，兩家公司將持續專注於NAND技術的研究開發，希望能達到每18個月將NAND密度提升一倍的目標。

這款採用25奈米技術的8GB裝置現已開始提供樣品，預計今年第二季起進入量產。英特爾表示，對消費電子製造商來說，此裝置可提供業界最高密度的每單元2位元(2 bits-per-cell)多級單元(MLC)晶粒，並能以精巧的TSOP方式供應。

此外，多顆8GB晶粒能堆疊在同一封裝中，以提升儲存容量。與前一代製程技術相比，新的25奈米8GB裝置可減少一半所需的晶粒數，以達到尺寸更小、密度更高、且更具成本效益的目標。舉例來說，現在一個256GB的SSD僅需要採用32顆8GB裝置，而之前需要用64顆。(編譯/范眠)