東芝、IBM、AMD研發世界最小SRAM Cell

東芝、IBM與AMD週三（12/17）共同發表新研發的立體型SRAM Cell，面積僅0.128平方微米，經測試可正常運作後，確定成為該類SRAM中全球最小的產品。

由於以hight-k金屬閘（high-k/metal gate, HKMG）材料所開發的非平面型SRAM Cell體積非常小，所以承載SRAM Cell的系統LSI就能挪出多餘的空間，晶片本身的面積也可再向下縮減，藉著高導電率設計、FinFET立體結構電晶體以及絕緣膜設計，才研發出面積比現有最小的0.274平方微米縮小50%以上的立體SRAM Cell。IBM表示，SRAM cells是微處理器等IC上的零件之一，因此未來將有助於生產更小、更快，及更省電的處理器。

東芝表示，以往的平面電晶體可透過在矽頻部份注入不純物質達成小型化的需求，不過因為注入不純物質相對的就無法保證可正常穩定運作，因此成為22奈米以下製程的一大問題，但這次三社所研發的FinFET立體結構電晶體能改善28%以上電晶體穩定度，因此未來確實有可能透過此技術製作出更先進的系統LSI。

這項技術已經先行於美國時間12/16在加州舉辦的半導體國際學會IEDM中發表，三社認為此次技術研發十分成功，並說明當電晶體尺寸縮小後，就代表在目前現有的系統LSI中可容納數量更多的電晶體，運作性能與運算效率亦可一併提升。（編譯/張嵐霆）