東芝確立新一代MRAM記憶體直接邁進GB等級

東芝週二（11/6）表示已確立大容量記憶體MRAM技術，並研發支援此技術的新型電子元件，未來MRAM的儲存容量將朝GB等級邁進。

東芝以垂直磁化方式為主技術，另外研發一種0.13微米的自旋穿隧接面（Magnetic Tunneling Junction，MTJ）電子元件，將擔負MRAM的儲存功能，利用多重磁性層與絕緣層交疊的積層構造產生穿隧磁電阻（TMR），如此在讀取資料時就不需反轉自旋，屬於非破壞性的讀取方式。

這種讀取方式已在11/5美國磁氣國際會議3M中發表，也是全球首次在垂直磁化記憶體中得到驗證的技術。會議中東芝公佈以新研發的迴旋注入磁化反轉技術將MTJ電子元件尺寸縮小的技術，並確認它在MRAM中可穩定發揮功效。

垂直磁化方式是提升MRAM記憶體容量至GB等級的研發關鍵，東芝表示將持續研究相關素材與裝配方式，數年內要整合各關鍵技術以確立此大容量技術的穩定性。（編譯/張嵐霆）