IBM改良處理器快取記憶體設計

IBM表示將把晶片內含的快取記憶體由SRAM改為DRAM，並指出此設計可讓晶片用之前1/5的電力與1/3的空間儲存資料。

IBM 45奈米技術開發總監Subramanian Iyer在近日舉行的國際固態電路會議（ISSCC）上指出，IBM計畫將晶片內的快取記憶體由固態隨機記憶體（Static RAM）改為動態隨機記憶體（dynamic RAM），這項改變可讓大幅提升多核心處理器，與需要大量圖像資料的應用軟體效能，例如遊戲、網路與多媒體等。

晶片內含記憶體是資料處理的緩衝區，內含記憶體的大小也是處理器效能指標之一，不過記憶體越大，所佔空間越多，處理器也更難設計。SRAM的特點是速度快，並容易整合於晶片，不過缺點則是必須所需空間大，而DRAM則是電腦裡最常見的記憶體，多半是透過另外的記憶體模組與處理器溝通，過去由於效能太慢而無法直接整合於晶片。

Subramanian Iyer指出，以市面常見的晶片，如Intel Core 2 Due來說，記憶體便暫去處理器面積的60%；IBM eDRAM架構長John BarthYK則說，若用eDRAM取代之前的記憶體設計，處理器記憶體面積可縮小為之前的1/3，讓工程師更容易設計出更小的晶片，並減少電路長度。

IBM已經將DRAM設計於藍色基因（BlueGene）超級電腦裡的晶片上，不過當時的DRAM速度並不如SRAM，為了改善DRAM速度，IBM加入一種比傳統SRAM高密度高3倍，比一般DRAM速度快2倍的DRAM設計，；John Barth表示，這種DRAM速度與SRAM幾乎一樣快。

其他晶片廠商也正在研發如何改善晶片中大量圖像資料傳輸效能；例如買下繪圖晶片廠商ATi的AMD，便試圖整合繪圖核心與處理器。

由於IBM目前是三大遊戲機廠商，包括Sony的PS3、任天堂Wii與微軟Xbox 360的晶片供應商，因此這項技術可能將對遊戲機或消費性電子產品產品相當影響。IBM目前已經將在65奈米原型晶片裡改用嵌入式動態隨機記憶體(eDRAM)，預計2008年正式進入商業化，並應用於所有的45奈米晶片。

除了IBM外，Intel與AMD都在ISSCC上宣佈關於處理器開發計畫；AMD先前展示加強版的PowerNow處理器省電技術，而Intel則表示該公司正在開發80核心處理器。（編譯/李怡偉）