三星發表1G的手機記憶體

韓國三星電子（Samsung Electronics）在周三（12/27）宣布該公司已研發出1G byte的手機DRAM，該款記憶體在尺寸及電力上都有改進，預計在明年第二季量產。

三星電子表示，該款1G byte的DRAM採用80奈米製程技術，比起現階段用兩個512MB晶片的晶片組還薄上20%，同時可以節省30%的電力。

這是因為該款DRAM採用了新的溫度補償及自我更新技術，以降低在待命模式時所損耗的電力。此外，新晶片的封裝技術也將用在未來的1.5G或2G的DRAM晶片上，三星表示，該款晶片可透過多晶片封裝技術與快閃記憶體結合，包含封裝層疊（package on package）設計。

這款DRAM鎖定行動電話、數位相機、媒體播放裝置及手持遊戲裝置等應用。（編譯/陳曉莉）