英特爾展出45奈米晶片　明年開始生產

英特爾（Intel）昨日（1/25）宣佈，率先進入45奈米（nm）的里程碑，成功製造出真正能夠運作的SRAM（靜態隨機存取記憶體）。這也意味著英特爾將可在2007年開始以300mm（12吋）晶圓開始生產晶片。

根據美國科技媒體報導，英特爾主管週三展示該晶片時表示，在2007年下半年就可開始出貨45奈米製程的PC處理器。

目前英特爾已有兩座65奈米製程的工廠，分別座落於美國亞利桑那州及奧瑞崗，並預計分別在愛爾蘭及奧瑞崗州共兩座晶圓廠也將再投入65奈米。英特爾表示，目前在65奈米製程技術上已是半導體的龍頭。

英特爾宣稱，45奈米製程將可讓晶片比65奈米製程減少5倍的漏電，進一步改進行動裝置的電池續航力，或者可以藉此打造更小型，但更強大的平台。而這也讓英特爾繼續維持莫爾定律（Moore's Law）所預測的處理器效能改進。

45奈米的SRAM晶片內含了10億個電晶體（transistors）。雖然SRAM不會是英特爾未來的產品，但卻展示出45奈米製程為下一代處理器及晶片組的改進，包括了技術效能、良率，以及晶片的可靠性。

英特爾也宣布，除了負責開發45奈米製程的奧瑞崗D1D廠之外，還有另兩座廠房已經開始準備45奈米製程的建設，包括了亞利桑那州的Fab 32，及以色列的Fab 28。（編譯/郭和杰）