Samsung發表高容量快閃記憶體晶片，挑戰硬碟空間

全球最大的NAND及DRAM記憶體製造商Samsung（三星電子）於周一發表16-gigabit的NAND快閃記憶體（Flash Memory）晶片，約等於2GB的儲存容量，這比去年三星電子、Toshiba或Hitachi所發表的8-gigabit NAND記憶體晶片所支援的儲存容量整整大上一倍。國外媒體甚至比喻記憶體的容量發展已愈來愈接近硬碟。

據說Samsung正打算把該款大容量NAND晶片作為迷你硬碟甚至筆記型電腦硬碟使用。過去NAND快閃記憶體晶片多用於隨身碟、MP3播放器等儲存設備。

NAND與NOR皆為IC設計常用的電子邏輯閘，其中，前者多用來存放數值類資料，後者則因反應較快，多用來儲存啟動系統時所需的程式；以往NOR記憶體的用量較大，但由於NAND能支援較大的儲存空間，因此近來有凌駕NOR記憶體的趨勢。Samsung即指出，今年非常清楚地看見NDND已取代NOR成為最受歡迎的記億體。分析師則預測NDND記憶體今年市場產值可達94億美元。

如果將16個Samsung最新的NAND快閃記憶體晶片兜在一起，便可創造32GB的儲存空間，約可儲存8000首MP3音樂或20部DVD影片。

蘋果電腦是Samsung記憶體主要的買家之一，但蘋果拒絕回應下一代產品是否會採用該款新晶片。Samsung此款晶片預計在明年下半年開始大量生產。編譯／陳曉莉