DRAM業者茂德科技,旗下第2座12吋廠4月8日舉行動土典禮,這座位於中科的晶圓廠,將於2006年量產,最大產能每月達5萬片。茂德方面宣稱,屆時該廠將成為全球產能最大的12吋廠。

這座新的12吋晶圓廠,總投資金額為32億美元,採取雙子星式的設計,也就是內有2個無塵室,產能各每月各2.5萬片。4月8日動土以後,預計於2005年5月開始裝機,同年年底開始小量量產,初期產能估計每月5000片。將會採用90奈米Stack(堆疊式)製程技術進行量產,產品為512MB及1GB的DDR-II記憶體。

茂德原本採用的是從英飛凌(Infineon)技術轉移而來的Trench(溝槽式)技術。新廠改用新合作夥伴Hynix的Stack技術。目前在現有12吋廠當中,已經開闢一條小型生產線,採用Stack技術試產,先熟悉新量產技術,等到新廠蓋好之後,全面移植過去。目前這條小型生產線每月約有3000片產出,這些產品都供應給Hynix。

之前茂德與Hynix簽訂合作備忘錄,正式結盟,不過一直到現在都還沒簽署正式的合約,動土典禮當天,Hynix公司社長禹義濟也出席道賀。禹義濟透露,目前雙方正針對正式合約內容進行協商,預計再過1~2個月就能簽約。

另外,茂德目前也正準備將8吋晶圓廠移往中國,該公司總經理陳良民表示,今年5~6月會向政府提出申請,希望今年第3季就能運作。根據規畫,地點將會座落在上海周邊,每月產能約4~5萬片。如果順利的話,希望2005年底移機,2006年量產。

茂德發言人林育中透露,8吋廠移往中國之後,將會負責利基型記憶體產品的生產,臺灣的廠則專注標準型產品。另一方面,在8吋廠遺址,茂德則計畫再蓋一座規模與中科廠相仿的12吋廠。

在flash記憶體方面,目前茂德投入的是與Intel及AMD一樣的NOR型產品,陳良民強調:「雖然現在NAND型flash看起來吵得很熱,不過我們並不做一窩蜂的事。」他解釋,現階段嵌入式市場還有很大的需求,潛力很大。不過該公司未來也會做NAND型flash,投入的時間將是在明年下半。

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