茂德第2座12吋廠3月底破土

臺灣記憶體業者茂德2月2日表示，籌備中的第2座12吋晶圓廠，將在3月底破土。根據該公司的規畫，這座設在臺中的新晶圓廠，可望在2005年底開始量產，到2006年茂德總產能可望達到現在的近2倍。

目前茂德擁有2座晶圓廠，8吋、12吋各一座，產能在去年12月時，每月約2000萬片，今年提升到每月2900萬片的水準，茂德總經理陳民良宣稱，到2006年經由第2座12吋廠的產能貢獻，希望達到每月4800萬片的總產能目標。

在新的晶圓廠，茂德將與Hynix共同開發90奈米製程技術，雙方去年底才簽訂合作備忘錄，除了協議合作開發的事宜，未來這座12吋廠的產出也將會有部分供貨給Hynix。現階段，雙方已經先行在茂德現有12吋廠開闢一個小型生產線進行技術開發的相關工作，茂德透露，這個生產線的產出量預估不會太大，將會全數供貨給Hynix。

茂德與Hynix即將共同開發的是堆疊式（Stack）架構的記憶體技術，這是Hynix採用的技術，也是美光（Micron）、三星等大多數業者使用的技術，而茂德之前採用的是深溝式（Trench）的技術，來自原先的合作夥伴英飛凌（Infineon）。陳民良強調，茂德與Hynix有許多互補之處，堆疊式技術就是茂德想要取得的，而Hynix則希望從茂德方面學習12吋廠的運作經驗。

除此之外，2家公司在flash（快閃記憶體）的技術上也相異，Hynix主要生產NAND型flash，茂德則是NOR型。有必要時，雙方可以進一步洽談相關的技術合作。最近市場上NAND型flash供不應求，許多業者跨入生產NAND flash的行列，陳民良強調，茂德不會因為現在市場上一時的盛況就跳進去做，該公司仍會以NOR型為主，再開發各種延伸的商品，就像Intel的策略一樣。

另外，陳民良也透露，該公司將在今年第2季末、第3季初推出DDR-II記憶體，他預估，到年底，全球DDR-II出貨的比重將會佔所有DRAM的15％左右，而茂德到今年底DDR-II的比重則可望突破10％。