三星明年量產90奈米快閃記憶體

今年記憶體事業部門表現亮眼的三星，明年將趁勝進擊，希望進一步拉大與後頭追兵（美光等）的距離。該公司日前宣稱，DRAM市佔率將以提升到35％為目標。除此之外，明年也將開始以90奈米技術量產快閃記憶體。70奈米的技術也將在明年內開發完成。

該公司方面指出，如果這些目標都能完成，三星的半導體領域的營收不僅將在明年上看百億美元，2005及2010年則分別能夠達到140億美元及250億美元的規模。由於明年記憶體市場對於DDR 400將有大需求，此外，業界也正醞釀DDR-II記憶體，三星由於發展腳步最快，一般認為，該公司DRAM龍頭的地位將更形穩固。