臺灣DRAM廠商集體大轉彎

華邦電子11月8日舉辦法人說明會，由於今年DRAM造成該公司嚴重虧損，加上技術母公司東芝退出DRAM市場，華邦在會中宣稱，將淡出標準型DRAM市場，轉作利基型DRAM以及快閃記憶體（Flash Memory）。會中同時宣布已與日本夏普公司簽訂策略聯盟合約，共同開發Flash產品。該公司董事長焦佑鈞無奈地表示：「華邦的8吋晶圓廠近五年來投資報酬率等於零，在這樣的情況下，我們不得不想辦法轉型求生存。」

今年以來，由於DRAM供過於求，造成價格崩盤，全球DRAM業者哀鴻遍野。除了東芝宣布3座晶圓廠停工、人員輪休減產，逐漸淡出DRAM市場之外，美光也傳將關閉在義大利的0.18微米以及美國本土0.13微米的廠。

在這波產業寒流的侵襲下，臺灣廠商更是虧損連連。6家主要業者今年前3季稅後合計虧損金額將近新臺幣429億元。其中茂矽虧損最甚，高達150億元；其次是南亞科技，虧損76億元；華邦虧損65億元，世界先進、力晶、茂德等分別虧損50億元、48億元與39億元。

在這危急存亡之秋，為了求生存廠商紛紛減產、撙節資本開支或者尋求轉型，以求度過難關。在節省資本開支上，大多廠商均將原本投入12吋晶圓廠的計畫喊停或延後。而在轉型動作上，除了華邦宣布投入利基型DRAM，並將原在東芝的40人研發團隊召回，將這支DRAM研發隊伍及研發經費轉進Flash的開發，轉戰另一個市場之外，茂矽宣布轉型為專業IC設計公司，目前積極研發的相關產品為微控制器（MCU）、功率IC及Flash等產品。目前規畫中的包括128Mb DDR 模組、1Mx16 SDRAM（Buffer memory）、4Mx16 DDR、128M的Mobile RAM、32M Pseudo SDRAM及64M、128M Flash等。

力晶也思考朝IC設計的方向走，透過轉投資公司，從事IP、Flash以及SoC的開發。此外，擬逐漸降低DRAM比重，2002年DRAM佔營收比重將逐步降至30%，並積極投入利基型記憶體與邏輯產品市場，預計2002年比重將提升至70%。世界先進則決定減少自產，月產能縮減約2萬片外，也積極轉型為記憶體專業代工廠，並開始與IDM、IC設計公司洽談合作，計畫切入快閃記憶體、1T-SRAM等市場。南亞科技則將主力放在DDR 記憶體產品，停止128MB DRAM的投片生產。目前該公司在DDR記憶體產品上領先同業，除了已經推出DDR333外， DDR400也預計在2002年第2季量產。

根據日經市場分析機構的調查，明年DRAM仍將會是供過於求的情況，供給與需求差距約15%。雖然目前DRAM市場在全球業者有計畫減產下，近日價格稍稍回升，但競爭態勢仍然變數重重，因財務危機瀕臨險境的韓國DRAM廠商Hynix，財務抒困成功後，使得角力戰線拉長，三星在Hynix這波危機中，沒能如願將之擠出市場，未來勢必繼續透過低價的策略與之纏鬥，屆時對臺灣廠商又將造成更大的推擠作用。

在這樣的殺價競爭中，日本廠商已經不堪其苦，日立、NEC、東芝、三菱等4家半導體廠甚至擬控告韓國三星、Hynix，在日本以低價傾銷DRAM，要求日本政府對該兩家韓商課徵反傾銷稅，不過此舉預料仍然將無法遏止此風。市場人士指出，DRAM產業現在面臨一個版圖整合的時期，預料2002年將會是關鍵年，屆時產業將因為競爭淘汰以及整合購併，形成新的競爭局面。