瑞薩科技發表 RKT101xxxMU μ-Chip*1 核心標籤 (inlet)*2,供構裝於 RFID (無線射頻辨識) 積體電路 m-Chip 之上,主要特點在於只有 85 微米的厚度,堪稱全球最薄等級,並具更理想的平直度。自 2006 年 6 月起,該產品在日本開始提供樣品。
RKT101xxxMU 是量產中 RKT101 系列的最新成員,該系列相較於瑞薩現行 HKT100 系列 μ- Chip 核心標籤,延伸傳輸距離增加 1.5 倍之多。
有下列特色。
(1) 厚度在 85 微米以下 — 全球最薄
本產品之最大厚度保持在 85 微米或以下,原因在於製造出更薄的 RDIF IC晶片,以及發展出將外部傳輸天線厚度降到最低的技術。當晶片植入於塑膠或紙製卡片中,或附加在各種不同的標籤或貼紙上時,其理想厚度使核心標籤得以降低凸起的情況,並進一步使核心標籤可用於更薄的媒介上。
( 2 ) 晶片部分無梯階的平直化設計
當 IC 晶片連結於外部天線時,晶片部分形成一個梯階 (step)。拜 RKT101 xxxMU 之賜,晶片以外的區域被相同厚度的應力分佈片所覆蓋,使核心標籤全面平直化。如此可以防止對晶片造成機械應力,同時降低成本,成功製造出低價格的核心標籤。
<產品背景>
RFID 正逐漸廣泛應用於物流及存貨管理、追蹤、偽造鑑識等方面。目前大部分RFID 核心標籤厚度介於 180 至 250 微米之間,導致核心標籤植入於塑膠或紙製卡片時,可能造成凸塊。此類凸塊會影響片卡的外觀,並容易受各種機械應力之影響。因應市場對植入 RFID 核心標籤於更薄媒介 (含紙張) 的需求,超薄核心標籤的市場也將持續成長。
為及早因應以上市場的需求,瑞薩科技已發展出 RKT101xxxMU 超薄核心標籤,厚度不超過 85 微米。
<產品內容>
此 RFID 核心標籤的最大厚度不超過 85 微米,較瑞薩以往產品的厚度減少一半以上。其成功原因,在善用公司既有鋁晶片 (Chip On Aluminum, COA) 類核心標籤的構裝技術,並發展晶片薄化與薄晶安裝技術。細言之,若要最大厚度不超過 85 微米,須減少 RDIF 晶片厚度至 45 微米,同時外部傳輸天線厚度也要保持在 15 微米以下。
覆晶法藉由執行外接天線和積體電路晶片,陽極的線路圖結構表面是和積體電路晶片用天線直接連貫。這造成 IC 晶片有個凸起的部份。讓表面變平坦的方法很多,在此使用RKT101xxxMU 在晶片部分之外的天線區域,覆蓋一層與IC晶片厚度相同的應力分布片,以使整個核心標籤平坦無礙。這可避免客戶使用時機械應力集中在晶片部分上,並改善機械可靠度。
瑞薩科技將持續研發產品,在此超薄核心標籤的技術發展基礎上,滿足市場所需。

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