東芝與海力士半導體合作研發MRAM記憶體技術

東芝週三（7/13）宣布與韓國海力士半導體（Hynix Semiconductor）合作研發磁電阻式隨機存取記憶體（MRAM）技術，今後將在韓國利川的海力士研究設施中集結雙方技術人才，積極推動此合作計畫。

MRAM是一種低耗電、讀寫速度快、關閉電源也能保存資料的非揮發性記憶體，東芝早在2007年時就已經研發全球首創的MRAM技術，也就是能讓MRAM記憶體儲存量增加至GB等級的垂直磁化技術。

藉由此次合作，東芝打算運用本身擅長的NAND快閃記憶體技術與MRAM組成信賴度高的組合式記憶系統，藉此創造除了SSD固態硬碟、晶片事業之外的新NAND快閃記憶體應用模式。

東芝說明，選擇與海力士合作是因為該社有許多MRAM的研發實績，藉著雙方合作既可降低研發成本，同時又能加速MRAM的實用化進程。往後也會視技術合作情形，與海力士協商研討共同製造MRAM相關產品的可能性。（編譯/張嵐霆）