英特爾/美光發表超小型NAND記憶體

英特爾(Intel)和美光(Micron)週二(8/11)宣佈，已成功開發每單元3位元(3-bit-per-cell)技術的NAND快閃記憶體，預計將於今年第四季開始生產，並表示這將會是目前市場上尺寸最小的NAND晶片。

此新晶片將會由雙方的合資公司IM Flash以34奈米製程技術，生產容量為32Gb的快閃記憶體。

有別於單級單元(SLC)技術是每單元儲存一個位元資訊，目前較常見的多級單元(MLC)技術是採取每單元儲存兩個位元資訊。此次美光和英特爾開發的3bpc(每單位3位元)技術，由於密度更高，可以顯著縮小晶粒尺寸。美光表示，新款32Gb 3bpc NAND晶片的尺寸僅有126平方公釐。

然而高密度仍有伴隨而來的缺點。美光表示，相較於SLC和MLC技術，3bpc需要較長的讀取與寫入時間，同時，可讀寫次數也比較少。

因此，對於像是隨身碟或記憶卡這類以成本和密度為優先考量的產品來說，便是3bpc技術最適合的應用。而固態硬碟(SSD)因為需要更佳的耐用性，SLC技術還是比較好的選擇。

另一家快閃記憶體大廠SanDisk亦計畫在今年下半年推出3bpc產品，並在2010年推出採32奈米技術的4bpc產品。(編譯/范眠)