新技術讓NAND快閃記憶體壽命延長1萬倍

日本獨立行政法人產業技術綜合研究所與國立東京大學週一（5/19）發表利用鐵電性場效電晶體（FeFET）提升NAND快閃記憶體使用壽命的技術，將目前約可讀寫1萬次的平均壽命提升1萬倍。

現存NAND快閃記憶體的製程約為30nm，寫入電壓在20V上下，而這次應用FeFET製作的試作品將讀寫次數延長至1億次以上，寫入電壓也調降到6V左右，可對應未來20nm、10nm製程製作的高密度大容量次世代NAND快閃記憶體。

研發時也根據寫入、刪除、覆蓋時的電壓臨界值與資料保存時間推演圖，推算出數據可在記憶體中保存至少10年，也證實在10µs、6V這種高速低電壓脈衝狀態下，讀寫特定記憶體儲存元件（Memory Cell）時不會誤讀寫鄰接儲存原件。

這項成果已經在5/18～5/22於法國舉行的第23屆非揮發性半導體記憶體工房（23rd IEEE NVSMW）中發表。（編譯/張嵐霆）