三星發表40奈米製程的32Gb快閃記憶體

韓國三星電子（Samsung Electronics）在周一（9/11）發表該公司首款採用40奈米晶片製造技術所製成的32Gb快閃記憶體晶片，該晶片可製成最高儲存容量為64GB的記憶卡，相當於可儲存40部DVD品質的影片、1.6萬首MP3歌曲。

三星此一更小的晶片製造方法讓三星趕上其他競爭對手，包括全球晶片龍頭英特爾（Intel）在內，因為英特爾所採用的最小晶片製造技術為45奈米。

這些晶片都是所謂的第七代NAND快閃記憶體，根據摩爾理論（Moore's law-type theory），NAND記憶體晶片的容量每十二個月就會增加一倍。

對於消費性電子產業而言，這無疑是注入一股活水，因為消費性電子產品諸如手機、數位相機、音樂播放裝置都愈做愈輕薄，但對容量的要求卻愈來愈大，分析師認為這樣的趨勢仍將持續。

40奈米晶片製造技術是讓晶片更小、執行效能更佳，以及製造成本更便宜的關鍵，因為在更小的晶片上要放置同樣數量的電晶體，使得這些電晶體聚集密度高，傳輸更快也造成效能的提昇。

在這些32Gb的晶片中，CTF的控制閘極（control gate）只有傳統浮置閘極（floating gate）架構中普遍使用的控制閘極的1/5，CTF並沒有浮置閘極，而是將資料暫存在用氮化矽製成的裝置中。

除了發表用40奈米技術製造的32Gb的快閃記憶體晶片之外，三星也公布了該款晶片的新設計技術，並宣稱此項稱為Charge Trap Flash（CTF）的技術最終將能讓NAND晶片製造技術縮小至20奈米，而且達到256Gb的儲存容量。不過，三星並未說明這款透過20奈米製造技術的256Gb晶片將會在何時發表。

同時，三星亦發表了另一款可用在筆記型電腦中的SoC（system-on-chip）晶片，三星指出，該晶片製成的NAND快閃記憶體可用來充當筆電的儲存緩衝區，最高容量可達4GB，而且還能加快電腦開機速度並減低電力耗損。

三星已發表的兩款新晶片都預計在今年11月開始量產。（編譯/陳曉莉）