快閃記憶體模組供應商M-Systems(亞洲艾蒙系統)12月10日發表一項稱為X2的技術,加強NAND型快閃記憶體的性能。此外,該公司運用此技術所開發出來的的G3(第三代)產品,將揮軍手機、PDA等手持式裝置,過去這是NOR型快閃記憶體的天下,M-Systems此舉,預料將對超微與英特爾等NOR型快閃記憶體供應商產生衝擊。
NOR與NAND兩種快閃記憶體技術,由於特性不同,因此過去分別用在不同的用途中。前者主要在手機、PDA、或者車用電子裝置等嵌入式系統,後者則被製作成小型記憶卡,最廣泛的應用是作為數位相機儲存媒體。現在,這兩者在手持式裝置市場慢慢出現短兵相接的局面。
主要原因在於,手機、PDA等裝置進入多媒體時代,所需要的資料儲存量越來越高,傳統NOR型快閃記憶體不敷使用,因此給了NAND型記憶體一個搶進的機會。M-Systems工程暨行銷部副總裁蔣鎮和指出:「NOR型記憶體本身尺寸較大,因此如果要在現有架構中增加儲存量,記憶體尺寸勢必更龐大,不符合手持式裝置輕薄短小的需求。在這方面,NAND型比較具有競爭優勢。」
目前全球NOR型快閃記憶體兩大的供應商英特爾及超微,為了解決儲存容量的問題,英特爾在2000年便使用MLC(Multi-Level Cell;多層單元)技術開發出StrataFlash,超微也在今年推出MirrorBit快閃記憶體,二者都是透過創新架構設計,讓傳統NOR型快閃記憶體在原有面積下能容納更高的儲存密度。
M-Systems這次推出的G3產品,則是使用東芝所供應的MLC NAND型快閃記憶體顆粒,並加上自行開發出來的X2技術,改善NADN型記憶體壞軌的缺陷、提高寫入速度。目前M-Systems的快閃記憶體產品雖然已經獲得神達採用,不過在手持式裝置市場的佔有率還不到10%,蔣鎮和宣稱:「明年佔有率可望提高到20~30%,甚至更高!」
最主要原因,蔣鎮和認為:「M-Systems的低價優勢,將對市場造成莫大衝擊!」目前X2 MLC NAND型快閃記憶體的價格約是StrataFlash的60%,蔣鎮和宣稱,明年的價差還會更大。
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