從2015年以後,在固態硬碟的發展上,我們越來越常聽到廠商採用3D NAND Flash的製程技術,而從今年起,Intel終於也追隨這樣的風潮,該公司第一波上市的產品,是3月底推出的資料中心等級SSD──P3320與P3520系列,提供高效能、高密度的固態儲存裝置,並維持與既有Intel資料中心等級SSD同等的服務品質,以及資料完整度與可靠度。

NAND Flash製程已開始導入3D立體堆疊的方式,以Intel目前使用的第一代3D NAND技術來說,讀寫速度是先前2D NAND作法的1.3倍,同時,也帶來電力使用效率提升,耐用度改善,以及具備優異的資料完整性(data integrity)等效益。以改善耐用度而言,這裡使用了TLC,因此提供多種耐用等級,而資料完整性是指在錯誤讀取率(Raw Bit Error Rate, RBER,RBER)、持續使用循環與保留等層面,均有所領先。

這兩個系列固態硬碟,目前可提供400GB(P3320是450GB)、1.2TB、2TB等3種儲存容量選擇,而就外觀而言,P3320與P3520系列有兩種形式──2.5吋硬碟,以及可安裝在PCIe x4擴充插槽的介面卡。而在I/O介面,它們都支援PCIe 3.0與NVMe 1.0,

P3320有兩種外型的選擇,圖中是其中一種,採用2.5吋硬碟尺寸,採用U.2介面,儲存容量選擇有450GB、1.2TB、2TB。
攝影/李宗翰

P3320另一種外型是半高半長尺寸的PCIe 3.0 x4介面卡,有1.2TB、2TB等兩種容量搭配。

純以效能的規格來看,在循序讀寫的項目,P3320系列可達到1600 MB/s與1400 MB/s的存取速度,而P3520系列則是2700 MB/s與1800MB/s。相較於Intel另一款相同價位的SATA固態硬碟DC S3510,P3320系列的循序讀取效能是S3510的3.2倍,在4K隨機讀取的部分,P3320系列的效能甚至可達到S3510的5倍之多;若從單一虛擬機器的4K隨機工作負載的存取來看,P3320系列的延遲度只有S3510的四分之一。

從上面的規格對照,我們可明顯看出P3320與P3520之間的差異,主要在於效能,而且延遲度也有所不同,因此,產品定位上會彼此區隔──P3320適用於讀取密集的應用,例如溫儲存(warm storage);P3520可運用在線上儲存系統,以及採取超融合架構建置的儲存系統。

SSD DC P3520和P3320均採用了3D NANAD的方式所設計製作而成,兩者的差異於效能,P3520表現較高,適合用於線上儲存系統與超融合架構。

綜觀Intel現行的所有資料中心等級固態硬碟,P3320與P3520被視為適合橫向擴展規模(Scale-out)的大量儲存應用,比較的主要目標是SATA固態硬碟;而與這兩系列同時推出的D3600與D3700系列,其產品取向則是偏重在縱向擴展(Scale-up)的儲存應用,對比的目標是SAS固態硬碟。

Intel在2016上半年推出的4款企業級固態硬碟,分據該公司現有NVMe SSD產品線的最頂端與最基礎,其中的P3520和P3320屬於入門級應用定位。

隨著採用3D NAND製程的固態儲存逐漸普及,大容量的SSD不再是奢侈品,Intel認為,這樣的局勢除了使SATA與PCIe SSD更容易取得,影響所及,勢必將大幅壓縮現行傳統硬碟的市占。

產品資訊

●產品名稱:Intel SSD DC P3320、P3520
●原廠:Intel(02)6622-0000
●建議售價:廠商未提供
●可用容量:P3320:400GB、1.2TB、2TB,P3520:450GB、1.2TB、2TB
●最高讀寫速度:P3320:1600 MB/s與1400 MB/s,P3520:2700 MB/s與1800MB/s
●使用介面:PCIe 3.0、NVMe 1.0
●外型:2.5吋或半高半長介面卡

【註:規格與價格由廠商提供,因時有異動,正確資訊請洽廠商】


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