IBM實驗室宣布一項材料科學的突破,IBM科學家創造出一個可模擬人腦以事件驅動來運作的電子系統,為新一代更省電的非揮發性記憶體及邏輯晶片舖路。

現在的電腦一般使用以CMOS製程技術所打造的半導體,大家都認為平均每兩年效能就會加倍,同時尺寸與成本都會降低,但相關的技術與材料逐漸達到物理與效能上的極限,亟需新的解決方案。IBM表示。

IBM科學家透過液態電場氧離子的插入及移除,來展示讓金屬氧化物切換成絕緣與導電狀態的可能性,一旦原本絕緣的氧化材料被轉成導電狀態,在移除電力後,該材料仍能維持在穩定的金屬狀態,此一非揮發性的特質意味著使用該類新奇晶片的裝置可以更有效率的方式來儲存或轉移資料,以事件驅動來取代裝置必須有持續電流狀態的需求。

IBM Research院士Stuart Parkin指出,對於原子尺寸的了解與控制讓他們得以製造運作方式完全不同於現代矽技術原則的材料與裝置,脫離現在仰賴充電的方式,以非常細小的離子電流來控制事物的狀態將為新型態裝置帶來潛力。

現代電腦中的處理器或記憶體等元件都是由矽晶圓打造的大量電晶體所組成,並以電流來控制這些電晶體,IBM則是改變材料的絕緣與導電狀態,而且不需要持續的電流來維持導電狀態,可望減少行動裝置對電力的需求。(編譯/陳曉莉)

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