富士通研發新技術　筆電將可內建AC變壓器

富士通研究所週三（6/24）於美國賓矽凡尼亞州立大學舉辦的裝置研發研討會（DRC 2009）中，發表了一項可降低電源裝置電力耗損的氮化鎵高電子移動度電晶體（GaN HEMT）技術，並說明其應用在各式電器中的優勢。

電源裝置改用GaN素材，能比傳統矽晶體更快速的傳遞電子，配電交換速度也因此提升，在通電狀態下的電力耗損可降低至1/5、配電交換時則降低至1/100以下。

由於降低電力耗損將使裝置發熱量一併下降，所以散熱裝置能做得更小，未來的筆電透過此技術可望能將AC變壓器內建於本機中。

而根據富士通研究所公佈的測試數據，使用此技術研發的電源裝置模組可將電力耗損降低至1/3以下，也可替日本全國現有的資料中心省電12%，一年將因此減少33萬噸的二氧化碳。

未來這項技術將先運用在富士通的內部伺服器中，接著是一般筆電與電力驅動的車輛，預定2011年商品化。

另外，該社也提到，雖然GaN素材成本比矽晶體高，但透過小型化從其他素材省下的費用貼補，進入量產後價格應可調降至與目前矽晶體相同。（編譯/張嵐霆）