Intel/美光聯手發表34奈米NAND記憶體晶片

Intel和美光（Micron）週四（5/29）共同發表採用34奈米製程的32 Gigabit NAND記憶體晶片，可望壓低固態硬碟（Solid-State Drives, SSD）的製造成本，並且擴大相關儲存裝置的容量。

新產品的樣本預計在今年六月完成，據Intel和美光估計，今年下半年即可進入產品的量產階段。

34奈米的32 Gigabit NAND記憶體是由Intel與美光合資的IM Flash Technologies公司所製造。今年二月，IM Flash Technologies就曾宣示將發表新的NAND記憶體技術，一舉將NAND的傳輸速度提升五倍。

新的NAND記憶體晶片將在12吋晶圓廠生產。Intel指出，一片12吋晶圓可以生產出總容量為1.6TB的NAND晶片，充分達到成本效益和高密度容量的目的，同時在小型行動裝置上，提供更大的儲存容量。

Intel說明，一個32 Gigabit的NAND記憶體晶片將可儲存超過2000張高畫質數位相片，或者1000首MP3歌曲，而且可以輕易製造出雙倍於現有SSD硬碟容量的儲存裝置。目前市面上最大容量的SSD硬碟是韓國三星電子（Samsung）年底前將出貨的256GB SSD硬碟。

基於34奈米的製程技術，Intel和美光計劃推出多款新型的NAND記憶體晶片，今年底之前將會推出的產品有低密度的多層單元（multi-level cell，MLC）記憶體，以及高密度的SLC（Single-level-cell）型的快閃記憶體。（編譯/黃品如）