東芝研發100GB快閃記憶體　5年可望實現

東芝週三（12/12）表示已研發新型快閃記憶體製造技術，並且在15nm線幅的記憶體迴路中試作成功。這代表未來在不改變現有快閃記憶體的尺寸下，最大可產製100GB容量的快閃記憶體產品。

東芝在發表會中說明，目前將以5年內技術實用化為目標持續進行研發，屆時數位相機等使用快閃記憶體的產品在容量方面都將有5～6倍以上的提升。

此技術使用球徑1.2nm的矽結晶體與1nm的氧化物薄膜製造出雙層連接構造，利用不同電壓讓薄膜抵抗性大幅變化，藉此兼顧長時間記憶保存和高速寫入/刪除的效能。

在提升電荷蓄積量方面將以往氮化矽（silicon nitride）Si3N4的調製比率更改為Si9N10，在實驗中逐步調整各元件與裝置後，驗證試作品可維持10年以上的記憶性能。

本技術已在12/10美國華盛頓州舉辦的國際電子元件會議IEDM中正式發表。（編譯/張嵐霆）