儲存級記憶體(Storage Class Memory,SCM)是過去2、3年來,企業儲存技術的熱門話題之一,提供了存取延遲介於DRAM與NAND Flash記憶體之間,又具備非揮發性、可持續保存資料的新型記憶體技術,可望給企業儲存應用架構帶來重要變革。

雖然Intel與三星都已在市場上銷售其SCM產品,即Intel的Optane,以及三星的Z-SSD,但僅僅依靠SCM模組的零售,仍不足以帶動企業儲存型態的變化,要讓SCM在企業儲存應用中扮演更重要的角色,還是有賴於儲存設備廠商的支援。

從2年前起,便陸續有新創廠商推出搭載了SCM的儲存設備,但仍不足以帶動SCM在企業儲存的進一步發展,最重要的各一線大廠,對SCM的支援仍停留在「預告」階段 。直到日前,才終於有Dell EMC與Pure Storage兩家一線廠商,宣布在產品上提供SCM,讓SCM正式走入企業級儲存設備。

而隨著一線廠商開始支援SCM,再結合新創廠商先一步推出的SCM產品,也在市場上形成了一個基於SCM的新類型產品——以SCM打造而成的「全SCM」固態儲存陣列。

 SCM的存取延遲與成本,正好介於DRAM與NAND SSD之間,比DRAM慢、但快於SSD,因而可作為兩者的中介,填補DRAM與SSD之間的效能落差,讓整個I/O處理架構更為平順高效。

資料來源:Pure Storage

 

率先支援SCM的一線儲存大廠

過去1、2年來,我們已經聽到許多一線儲存大廠預告:即將在產品上支援SCM,到了現在,終於有兩家廠商兌現了這個承諾。

首先,是身為業界龍頭的Dell EMC,在9月中旬宣布開始在其PowerMax高階儲存陣列上供應SCM模組。Dell EMC採用的SCM是Intel Optane SSD DC D4800X,PowerMax的用戶可以選用這款雙埠SCM模組,替換PowerMax原本使用的NVMe SSD,作為基本儲存空間使用。在SCM組態下,PowerMax的效能可比搭載標準NVMe SSD時大幅提高,存取延遲降低了一半,IOPS效能從先前的1000萬提高到1500萬,吞吐率更從150GB/s大幅提升為350GB/s。

在Dell EMC宣布支援SCM過後不到一週時間,專注於全快閃儲存設備的Pure Storage,也跟著在9月中旬舉行的用戶大會中,推出了支援SCM的產品。

相較於Dell EMC是將SCM用於基本儲存空間,Pure Storage則是將SCM用於快取,推出了基於SCM的DirectMemory模組,用於搭配Pure Storage的FlashArray//X快閃儲存陣列使用,目前可用於//X70R2與//X90R2兩款機型。

DirectMemory模組的外型,相容於FlashArray//X儲存陣列既有的2.5吋SAS SSD模組,或DirectFlash NVMe儲存模組,區別在於上面搭載的是SCM儲存裝置(Intel的Optane SSD DC4800X)。將DirectMemory模組安裝到FlashArray//X儲存陣列機箱後,再搭配FlashArray的Purity//FA作業系統新增的DirectMemory Cache軟體功能,就能將DirectMemory模組設定為讀取快取記憶體,原廠宣稱可改善50%讀取延遲。

Pure Storage的SCM應用—DirectMemory

Pure Storage的DirectMemory模組,是一種基於SCM的儲存加速裝置,內含Intel Optane SSD,用於搭配其FlashArray//X快閃儲存陣列,提供讀取I/O快取加速功能。

 

Dell EMC的SCM應用 —PowerMax的SCM組態

Dell EMC日前宣布,為PowerMax儲存陣列新增支援SCM模組,可以將系統全部288臺NVMe SSD,替換成Intel 的Optane SSD,構成「全SCM」組態,並藉此獲得50%以上的存取效能提升。

邁向「全SCM」儲存陣列

SCM的儲存應用目前有「儲存型式」與「記憶體型式」兩大類型,Dell EMC與Pure Storage的應用方式,便分別屬於這兩種典型。

其中我們特別關注「儲存型式」這一種,也就是以SCM取代傳統SSD,構成儲存陣列的儲存空間媒介,目前已有不少廠商提供這種類型的SCM應用,也意味著將形成一種新的產品類型——「全SCM」固態儲存陣列。

如Dell EMC在這波引進SCM的產品更新中,便宣稱PowerMax可將系統全部288臺NVMe SSD都換成SCM模組,構成「全SCM」組態。事實上,在Dell EMC之前,便已有數家新創廠商,推出可支援「全SCM」組態的儲存陣列。我們這裡介紹其中3家廠商:

E8 Storage

成立於2014年底的E8 Storage,是最早投入NVMe儲存陣列的新創廠商之一,在2017年8月推出基於SCM的儲存伺服器E8-X24。

E8 Storage早先的NVMe儲存伺服器產品如E8-D24與E8-S10,都是搭載標準的NVMe SSD,而E8-X24則改為Intel Optane SSD,可提供更進一階的低延遲表現。不過,在E8 Storage於不久前併入AWS後,原有產品的發展情況也陷入不確定。

Apeiron Data ADS 1000

成立於2013年的Apeiron Data,是NVMe-oF領域的先驅廠商,在2016年底發表了專屬NVMe直連架構的儲存產品ADS 1000。這是2U規格的NVMe儲存伺服器,可安裝24臺NVMe SSD或24臺Intel Optane SSD,用戶端透過專屬40GbE網路卡來連接與存取ADS 1000。ADS 1000搭配NVMe SSD時,可提供100μs的存取延遲,搭配Optane SSD時則擁有12μs的存取延遲。

Vexata VX-100

成立於2013年底的Vexata,在2017年初發表NVMe儲存陣列產品VX-100,分為採用一般NVMe SSD的VX-100F,以及採用Intel Optane SSD的VX-100M兩種款式。搭載標準NVMe SSD的VX-100F,可以提供187.5TB容量,存取延遲表現為35/90μs(寫入/讀取)。而搭載Optane SSD的VX-100M雖然最大容量只有32TB的容量,但存取延遲表現更佳,可達到15μs等級(寫入與讀取)。

超低延遲的極致效能新境界

從「全快閃儲存陣列」、「NVMe快閃儲存陣列」,再到「全SCM儲存陣列」的發展,象徵固態儲存應用即將進入一個新境界。

1ms等級(1000μs)以下的存取延遲,是全快閃儲存陣列的門檻要求,一般來說,透過全快閃架構,搭配存取機制的優化就能達到這個水準,一些較優秀的全快閃架構還可將存取延遲降到500μs以下。接下來若進一步結合NVMe介面與NVMe-oF傳輸架構,將可讓存取延遲達到100~200μs的水準,這也是NVMe快閃儲存陣列的效能層次。

而透過引進SCM所構成的「全SCM儲存陣列」,存取延遲則在100μs以下,甚至只有數十μs,比一般全快閃儲存陣列減少了數十倍的延遲,這是幾年以前無法想像的效能水準。有鑒於SCM帶來的巨大效能增長,在Dell EMC與部份新創廠商之後,可以預期未來將有更多廠商投入這個新的領域。

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