【美國奧斯汀現場報導】以全快閃儲存陣列起家的Pure Storage,在今年10月1日成立滿10週年,而在本週的全球年度用戶大會Accelerate 2019,他們針對單位儲存成本更低的QLC(Quad-Level Cells)快閃記憶體,以及效能直逼DRAM的儲存等級記憶體(Storage Class Memory,SCM),分別發表新的儲存陣列產品FlashArray//C系列,以及模組DirectMemory。

開風氣之先,Pure Storage大膽運用QLC快閃記憶體,另闢新的全快閃儲存陣列產品,鎖定二線儲存應用

以既有產品而言,Pure Storage推出的FlashArray系列,過往都是針對第一線(Tier 1)的關鍵應用系統需求而來,強調其效能、穩定性與容量的提供,至於第二線(Tier 2)的應用系統,許多企業可能會選擇價格較為低廉的硬碟式儲存陣列,或是混合式儲存陣列,享有較低的單位儲存成本效益,然而這樣的儲存環境無法提供一致的存取速度,管理起來也較為複雜,而且每隔三到五年就可能需要汰換硬碟,不過,即便如此,全快閃儲存陣列的成本仍相對較高,使得企業難以在二線儲存應用上,導入這樣的設備。

而在此次新發表的FlashArray//C系列當中,Pure Storage強調這套儲存系統能夠提供更理想的儲存容量配置,帶來更大的成本競爭優勢,讓原本僅應用在一線儲存的全快閃架構,也能擴大到二線儲存的領域,讓更為先進的快閃儲存系統,也能成為企業建置此類型應用環境的主要選項之一。

基本上,FlashArray//C系列雖然採用的儲存媒體是QLC快閃記憶體,但與既有的FlashArray//X系列一樣,都具有6個9的高可用性(99.9999%),並享有Pure1的雲端儲存管理平臺提供的各項特色,像是基於AI的預測性分析支援,以及API自動化、硬體與軟體升級不中斷(NDU)/Evergreen訂閱升級方案。就目前推出的機型規格來看,Pure Storage主要提供的是FlashArray//C60,可區分為3U尺寸的//C60-366、6U尺寸的//C60-878,以及9U尺寸的//C60-1390,最高可提供5.2 PB的有效空間,而且可透過NVMe介面連接DirectFlash Module(DFM),以及DirectFlash儲存櫃,在儲存I/O的環節上,能夠全面支援NVMe。

可運用儲存等級記憶體作為儲存系統快取,Pure Storage新增專用模組能安裝在自家的全快閃儲存陣列

現今的全快閃儲存系統採用的固態儲存媒體,大多是NAND Flash記憶體,像是SLC、MLC、TLC,而Pure Storage今年新推出的FlashArray//C系列,則是搭配單位儲存成本更低、但效能與耐用度較低的QLC,企圖吸引更多企業用於二線儲存的領域,另一方面,針對超高效能與耐用度的固態儲存媒體,像是儲存等級記憶體,Pure Storage也開始在其FlashArray//X儲存陣列的部分機型當中,開始提供相關的擴充模組DirectMemory,以便進一步提升全快閃儲存系統的效能,號稱可將存取延遲從原本的1毫秒降至100微秒,達到10倍的增長幅度。

目前DirectMemory模組可直接安裝在FlashArray//X70和//X90,這套模組裡面搭配的儲存等級記憶體,是Intel Optane DC SSD系列(2.5吋U.2外型、750GB容量的Intel Optane SSD DC D4800X),除此之外,還需搭配Pure Storage的DirectMemory Cache軟體(Pure Storage儲存陣列的Purity作業系統內建)。

 

而這樣的儲存加速架構成效如何?根據該公司雲端儲存管理平臺Pure1 Meta Analytics的分析,8成的//X70和//X90用戶若搭配了DirectMemory,在讀取延遲性的表現上,會有至少兩成的降低;4成的儲存陣列在讀取延遲性的部份,會有3成到5成的降低,改善幅度最高可達到2倍。

若是執行SAP HANA這類記憶體內資料庫應用系統,與全用DRAM記憶體的架構相比,改用DirectMemory之後,效能可達到90%,相關成本節省65%。


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