英特爾周一(7/9)宣布已與半導體設備製造商ASML達成協議,將陸續投入33億歐元(約41億美元)以加速ASML在450毫米晶圓與極紫外光(EUV)微影(lithography)技術上的開發,並取得15%的ASML股份,期望最慢在兩年後即可部署支援相關技術的微影設備。
根據雙方的協議,英特爾的投資將分成兩階段進行,第一階段會先投入5.53億歐元(約6.8億美元)的研發基金,以協助ASML開發及提供450毫米的製造工具,並會注資17億歐元(約21億美元)取得ASML的10%股份。
第二階段的計畫尚待ASML的股東同意,包括英特爾將再投入2.76億歐元(約3.4億美元)的研發經費以協助ASML加速極紫外光的開發,以及另外以8.38億歐元(約10億美元)買下ASML的5%股份。
換句話說,英特爾將提供總計8.29億歐元(約10億美元)的研發資金予ASML,以及25億歐元(約31億美元)取得ASML的15%股份;同時英特爾也承諾將向ASML採購450毫米與極紫外線的開發與製造工具。
位於荷蘭的ASML為全球最大的半導體設備製造商之一,可望藉由與英特爾的協議分散開發先進半導體設備的風險。而英特爾營運長Brian Krzanich則說,生產力的改善來自於晶圓製造技術的強化,特別是更大的晶圓與更新的極紫外線微影技術,晶圓尺寸的世代替換將可減少30~40%的晶粒成本,從目前標準的300毫米晶圓轉至更大的450毫米晶圓將可達到同樣的效果,腳步愈快,就能儘快享受改善生產力所帶來的好處。至於極紫外線微影技術則可協助英特爾從現有的22奈米製程晉級到更小的製程。(編譯/陳曉莉)
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