英特爾下一代PCM記憶體研究獲突破

英特爾（Intel）和Numonyx公司宣佈，在相變記憶體（PCM）研究方面已獲得突破性成果，首次展示一顆64Mb測試晶片，可在單一晶粒中堆疊多層的PCM陣列。

PCM是一種新型的非揮發性記憶體，具備目前多種類型記憶體的優點。這項研究是英特爾和Numonyx之間長期合作研究的成果。可為未來開發高密度、低功耗PCM和儲存應用奠定重要基礎。

現在，兩家公司的研究人員已展示PCMS（相變記憶體與開關）的垂直式整合記憶體單元，其中包含一個堆疊雙向閾值開關（Ovonic Threshold Switch，OTS）的PCM單元。可堆疊多層PCMS的能力，有助於實現更高的記憶體密度，又能同時維持PCM的效能特性，這是目前傳統記憶體技術正面臨的瓶頸挑戰。

英特爾記憶體技術開發總監Al Fazio表示，我們將持續開發此一技術，以期能應用到先進運算平台中。此一研究結果顯示，PCM具備與NAND類似的可擴展性，這對正面臨物理極限與可靠度問題的快閃記憶體來說，是一非常重要的進展。

這項研究成果將於12月份舉行的國際電子元件會議(IEDM)中正式發表。(編譯/范眠)