IBM與TDK合作開發MRAM記憶體

IBM 和TDK宣佈共同開發磁性隨機記憶體（Magnetic Random Access Memory，MRAM），可望將現行MRAM技術的容量從Mb提高到Gb等級。

IBM 和TDK在周一（8/20）宣佈合作計畫，利用旋轉動量傳遞效果（spin momentum transfer effect）原理，開發高密度記憶體單位（Compact Memory Cell），以提高MRAM的容量，未來可以單獨做為電腦的記憶體之用，或是嵌入到其他的IC裡。

IBM表示，相較於其他記憶體技術，MRAM最大優點就是低耗電，速度快，讀寫的次數沒有限制，以及非揮發性（Non-volatility）的特點（沒電力時仍可保留資料）。但但過去受限於無法有效降低成本而無法讓市場接受，旋轉動量傳遞技術讓MRAM可以有效縮減記憶體單位的尺寸，進一步有效降低成本並增加容量。

事實上，Toshiba、Freescale等公司也有發展MRAM。Freescale在去年七月就率先推出商品化的MRAM晶片，但4M晶片要價25塊美元也讓市場卻步。InformationWeek報導指出，雙方的合作可望讓MRAM的記憶體容量從Mb等級提升到Gb。（編譯/蔡錫能）