IBM發表3D晶片堆疊技術提昇晶片效能

IBM在周四（4/12）發表一稱為「穿透矽通道」（through-silicon vias，TSV）的3D晶片堆疊技術，透過蝕刻技術讓晶片可垂直堆疊，加速晶片間的資料傳輸、讓晶片更小以及擁有較低的電力損耗。

IBM預計在今年下半年進行試產，提供樣品給客戶，並在明年量產，並率先用在無線區域網路及行動應用所需的無線通訊晶片中，未來也將擴大到其他晶片，例如IBM的伺服器及超級電腦等。

傳統的晶片是以2D方式堆疊並透過許多較長的金屬線來連結，而新的3D晶片堆疊技術則只用非常短的金屬線，因此縮短晶片內的資料距離，而且還可減少40%的電力損耗。

IBM半導體研究及開發副總裁Lisa Su表示，此一突破是IBM逾十年的研究成果，這讓該公司可將3D晶片從實驗室帶到工廠並提供實際應用。

IBM估計，以矽鍺為基礎的無線產品，藉由此技術最多可改善40%電力損耗，延長電池壽命；而多核心處理器方面，晶片各部份必須取得統一電力的效能限制也因此技術而改善，因為該技術讓電力與這些核心更緊密，並讓每個核心可以充份存取電力，可加速處理速度並降低最多20%的電力損耗；此外，IBM正採用此一3D技術改造其Blue Gene超級電腦晶片，另也更改了處理器與記憶體的資料流通模式，以催化新一代的超級電腦。（編譯/陳曉莉）