IBM晶片新製程技術　突破193奈米光蝕刻極限

IBM在周一（2/20）表示，該公司科學家已發現新的溼浸式微影技術（Immersion Lithography），可拉長現有半導體製造設備的使用期限。

IBM表示，這個新系統採用193奈米的溼浸技術可製造29.9奈米寬的電路模型，僅有現在普及的90奈米的1/3，也比晶片產業認為的光學微影技術極限─32奈米還小。

溼浸式微影技術已被研究多年，矽晶圓被浸在純水中，雷射光透過水及顯微鏡在晶圓上產生永久化學變化，讓電路模型變得更小。晶片產業在這幾年來一直致力發展在矽晶圓上蝕刻電路的新技術，目前的技術已達物理極限，電路也變得非常精細。

而IBM則是透過Nemo系統組合雷射光所分裂的兩道光束創造一個明暗的干擾模型，並允許一個模式有較多的蝕刻線以達到溼浸式微影結果，該系統也使用由JSR Micro所提供的不同的液體、稜鏡及光阻蝕刻劑。

IBM的Almaden研究中心微影材料經理Robert D. Allen博士表示，IBM這套採用深紫外光微影技術（DUV lithography）的Nemo系統預計可讓晶片製造業者現階段的製造方法再維持7年以上，延緩整個晶片製造機器大幅汰換的時間。IBM也預計在本周舉行的2006 SPIE微影晶片會議上展示該技術細節。

除了IBM之外，日本Nikon在近日也宣布已售出全球第一套可生產溼浸式微影系統，買家則是Toshiba。（編譯/ 陳曉莉）