英特爾重回記憶體市場 與軟銀子公司合作新式技術 2030年商業化

英特爾昨日宣布和軟體銀行（SoftBank）子公司Saimemory簽定合作協議，將合作開發新的垂直堆疊記憶體，稱為Z-Angle Memory（ZAM），以滿足AI和高效能運算需求。預計2027年推出原型，2030年推向市場。

Saimemory為日本IT巨擘軟銀集團的子公司，核心業務是開發堆疊式DRAM架構。這項合作中，Saimemory提供ZAM技術，並將主導其生產及商業化進程，而由英特爾技術協同。Saimemory雖然為技術主導者，但這家公司其實也是英特爾和軟銀的合資公司，軟銀為主要股東，英特爾提供次世代DRAM垂直堆疊封裝技術NGDB（Next Generation DRAM Bonding）。該技術源自以美國三大實驗室，桑迪亞國家實驗室、勞倫斯利佛摩國家實驗室及洛斯阿拉莫斯國家實驗室（Sandia National Laboratory, Lawrence Livermore National Laboratory and Los Alamos National Laboratory）的進階記憶體技術（Advanced Memory Technology，AMT）研發專案。

Tom's Hardware報導，二家公司去年年中開始打造ZAM，結合日本專利及英特爾封裝技術。雙方計畫2026年第1季啟動合作，2027年提供記憶體原型，並在2030年商業化。

雙方合作的ZAM將與現在AI資料中心使用的高頻寬記憶體（High Bandwidth Memory，HBM）競爭。WCCFtech報導，ZAM是一種新式DRAM cell結構，目前尚無ZAM和HBM效能比較數據，但官方去年宣布時表示，將以高容量、高頻寬、低功耗為目標。

這項合作不但是英特爾自1980年代退出後，重新回到記憶體產業，也是日本產業的回歸。日本在上個世紀80年代是記憶體霸主，之後才被臺灣和韓國超越。