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Micron

根據外電報導,半導體業者美光(Micron)於上周舉行的分析師會議中透露,今年下半年出貨的固態硬碟(Solid State Drive,SSD)中,大部份都將是基於3D NAND技術的產品。

3D NAND採用了浮閘(floating gate)技術,以垂直方式堆疊32層的儲存單元,實現256Gb的多階儲存單元(multilevel cell,MLC)與384Gb的3階儲存單元(triple-level cell,TLC),號稱是全球密度最高的快閃記憶體,高密度的特性讓它的容量可達到其他NAND記憶體的3倍,標榜只要AA電池大小的SSD就能具備3.5TB的儲存容量,2.5吋的SSD則能有10TB的儲存容量。

↓3D NAND類似建築一棟大樓,以垂直堆疊方式增加記憶體的容量,提高儲存單位的密度。(圖片來源:美光)

其實美光與英特爾(Intel)在去年3月就共同發表了3D NAND快閃記憶體,當時亦已開始送樣,該類記憶體的優點除了高密度之外,還包括快速的讀寫效能、更便宜的每GB成本,以及可用來省電的新睡眠模式等。

現階段3D NAND的每GB成本仍高於平面NAND,但隨著3D NAND單一晶圓可裝載的儲存量愈來愈大,美光估計兩者的成本將在明年交會,之後3D NAND即會取得成本優勢。

根據美光的規畫,3D NAND將率先於今年6月出現在消費者端的固態硬碟產品上,繼之推出資料中心專用的SSD,直到相關成本低於平面NAND之後即會擴展至各種嵌入式記憶體市場。

3D NAND介紹影片。

 

 

 


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