英特爾發表3D電晶體架構　年底Ivy Bridge晶片將採用

電晶體比較：左為32nm製程的2D電晶體，右為22nm製程的3D電晶體

英特爾（Intel）周三（5/4）發表名為Tri-Gate的3D電晶體技術，並宣稱這是全球首款使用3D架構且可量產的產品，將率先被應用在預計於今年底量產的Ivy Bridge處理器家族。

英特爾指出，與先前的電晶體相較，3D的Tri-Gate電晶體讓晶片可在更低電壓下撲作且不易漏電，除了可節能外亦可改善效能。Tri-Gate將採用22奈米製程，與32奈米製程的平面電晶體相較，在低電壓下可增加37%的效能，代表這些新的電晶體將更適合小型的手持裝置，同時在同樣的效能下，Tri-Gate只會使用一半的電力。

英特爾技術開發負責人Mark Bohr表示，Tri-Gate電晶體所改善的效能及電力使用是前所未見的，這將讓產品設計人員打造出更小的裝置並實現全新的可能性，相信此一突破將讓英特爾大幅領先整個半導體產業。

事實上，英特爾科學家早在2002年就發明了Tri-Gate，於原本平面的電晶體架構上新增了一個垂直架構，就好像是在空間不夠的城市中興建摩天大樓一樣。

英特爾共同創辦人Gordon Moore認為，這些年來微型化電晶體的侷限性已浮現，此一基礎架構的改變是真正的革命，並允許摩爾定律與創新的腳步繼續前進。

由Moore所主張的摩爾定律認為單一矽晶片上的電晶體數量每隔18～24個月就會增加一倍，過去業者所採行的方式是不斷嘗試縮小電晶體尺寸，現在英特爾則透過3D架構來增加可存放電晶體的空間。

率先採用Tri-Gate的將是代號為Ivy Bridge的22奈米製程處理器，該系列處理器將可應用在筆記型電腦、桌上型電腦及伺服器上，預計於今年底量產。（編譯/陳曉莉）