IBM和喬治亞理工學院(Georgia Tech)周二(6/20)宣佈完成一項採用矽鍺(SiGe, silicon-germanium)為材料製成的處理器實驗,並在華式零下459度的環境下成功讓這顆處理器以500GHz時脈運作。

IBM這項實驗主要是為了找出以矽鍺為材料的處理器極限時脈,IBM指出,在常溫下,這顆矽鍺處理器時脈已經可達350GHz,也就是每秒3千5百億次;目前一般電腦內含的矽處理器時脈多半在4GHz內。

矽鍺並不是最新的處理器原料,IBM表示,該公司於1989年發明這種以矽鍺為材料的處理器,並自1998年進行商業化製造,有些手機或通訊裝置已經為了得到更好的耗電效能比,已經採用這種處理器,不過由於成本較高,一般處理器還是以矽為原料。IBM指出,採用矽鍺的處理器能擁有更好的效能與有效降低高速運轉時的處理器溫度。

IBM和喬治亞理工學院為了模擬外太空的低溫,以液態氦(liquid helium)冷卻這顆矽鍺處理器達華式零下459.67度,讓這顆處理器在高速運作時得以散熱。理論上矽鍺處理器運作時脈可能達1 Tera Hz,也就是每秒1百萬兆次。

IBM指出,未來這種超高時脈處理器將針對太空交通工具、防禦系統等裝置而設計;分析師表示,這種處理器雖然先進,不過離商業化仍有一段非常漫長的路要走。

雖然提升時脈仍為處理器效能指標,不過目前處理器研發主流已經轉向多核心(Multi-core)設計,包括IBM、Intel、AMD、Sun等廠商都已經發表數款多核心處理器及未來的產品藍圖。(編譯/李怡偉)

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