半導體業者英飛凌(Infineon)日前宣布,與位於中國的中芯國際簽訂DRAM代工協定。協議中,英飛凌將轉移0.11微米的DRAM製造(所使用的是溝槽式技術)及12吋晶圓的技術給中芯,中芯取得這項技術之後,將為英飛凌生產DRAM產品。

根據英飛凌方面發佈的消息,兩家公司在去年12月便已經開始合作,當時英飛凌轉移0.14微米製程技術,讓中芯利用上海的8吋晶圓廠代工生產DRAM,而這次則是將合作範圍推向更先進製程。這次的協定預料將使得中芯位於北京的12吋晶圓廠籌備工作更形順利,這個12吋廠預定於明年第2季量產。

與茂德的合作關係生變事件鬧得滿城風雨的英飛凌,會積極尋求其他合作對象,並不令人意外。因為如果斷了茂德這項貨源,中芯這方面包含8吋2萬片及未來的12吋廠計畫中的1.5萬片DRAM晶圓,能夠讓英飛凌維持一定的產能。

從另一方面來說,這項合作案對中芯也很有利。當初中芯在中國設廠,原本打算生產邏輯產品,不過中國市場這方面需求並不如預期成長那麼快,在這過渡期中,如果能先以代工生產DRAM為繼,也是不錯的練兵機會。

而這項協定敲定後,對DRAM產業又別具意義。資策會MIC產業分析師曾瑜玉便指出,這使得中芯變成一個DRAM業者,之前日商Elpida也積極爭取與中芯合作,雖然中芯的規模不足以角逐DRAM排名,不過在產能決定市佔率的DRAM產業,中芯顯然已經成為左右各大廠市佔率排名的關鍵票。

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