圖片來源: 

三星電子

三星電子(Samsung Electronics)周四(6/30)宣布,已開始藉由基於環繞式閘極(Gate-All-Around,GAA)電晶體架構的3奈米製程來生產晶片。

根據三星的說法,基於GAA技術的多橋通道場效電晶體FET(Multi-Bridge-Channel FET)得以挑戰鰭式場效電晶體(Fin Field Effect Transistor,FinFET)在效能上的限制,藉由減少供應電壓水平來改善能源效益,並透過增加驅動電流能力來強化效能。

與5奈米製程相較,最佳化的3奈米製程將能減少45%的電力使用,改善25%的效能,並減少16%的表面積。三星已經開始啟動該3奈米電晶體與半導體晶片的高效能與低功耗應用,並計畫擴大至行動處理器。

根據市場研究機構TrendForce的統計,去年全球晶圓代工市場的龍頭為台積電,市占率達53%,三星以18%居次,且TrendForce還預測台積電今年的市占率會增加到56%。

儘管三星比台積電更早進入3奈米製程,不過,三星過去幾年來的競爭都受到良率的阻礙,不確定新的3奈米製程能否翻轉頹勢,而台積電則計畫於2025年進入2奈米製程。


熱門新聞

Advertisement