圖片來源: 

三星

三星於周四(3/25)發表了全球首個基於高介電質金屬閘極(High-K Metal Gate,HKMG)製程技術的512GB DDR5記憶體模組,其最高效能為每秒7,200Mb,是DDR4的兩倍,適用於超級運算、人工智慧、機器學習及資料分析等,各種需要密集運算與高頻寬的應用中。

HKMG是以金屬蛤(Hafnium)的氧化物作為柵極電介質,取代傳統以二氧化硅氧化物打造的柵極結構,可減少柵極漏電流,還能有效降低柵極電容,通常被應用在邏輯半導體中,三星已於2018年將HKMG應用在GDDR6記憶體,此次則擴大其應用至DDR5。

三星指出,有鑑於記憶體架構持續縮小,絕緣層變薄的結果造成更高的漏電流,以HKMG作為絕緣層將減少DDR5記憶體的漏電流,同時達到更高的效能,且所使用的電力也減少了13%。

負責記憶體的三星副總裁Young-Soo Sohn表示,三星是唯一一家把HKMG技術導入記憶體產品開發的業者,將讓三星得以提供高效能又省電的記憶體解決方案予醫藥研究、金融市場、自駕車與智慧城市等領域的客戶。

根據外電報導,三星已開始送樣予客戶,採用HKMG版DDR5記憶體的桌上型電腦可望於今年底或明年問世


熱門新聞

Advertisement