三星發表512GB的DDR5記憶體，宣稱效能是DDR4的兩倍

三星於周四（3/25）發表了全球首個基於高介電質金屬閘極（High-K Metal Gate，HKMG）製程技術的512GB DDR5記憶體模組，其最高效能為每秒7,200Mb，是DDR4的兩倍，適用於超級運算、人工智慧、機器學習及資料分析等，各種需要密集運算與高頻寬的應用中。

HKMG是以金屬蛤（Hafnium）的氧化物作為柵極電介質，取代傳統以二氧化硅氧化物打造的柵極結構，可減少柵極漏電流，還能有效降低柵極電容，通常被應用在邏輯半導體中，三星已於2018年將HKMG應用在GDDR6記憶體，此次則擴大其應用至DDR5。

三星指出，有鑑於記憶體架構持續縮小，絕緣層變薄的結果造成更高的漏電流，以HKMG作為絕緣層將減少DDR5記憶體的漏電流，同時達到更高的效能，且所使用的電力也減少了13%。

負責記憶體的三星副總裁Young-Soo Sohn表示，三星是唯一一家把HKMG技術導入記憶體產品開發的業者，將讓三星得以提供高效能又省電的記憶體解決方案予醫藥研究、金融市場、自駕車與智慧城市等領域的客戶。

根據外電報導，三星已開始送樣予客戶，採用HKMG版DDR5記憶體的桌上型電腦可望於今年底或明年問世