東芝發表19nm快閃記憶體

東芝宣布19奈米製程、8GB大容量NAND快閃記憶體已研發完畢，預計4月底開始推出樣品，秋季開始量產。

東芝表示，這是世界首創突破20奈米製程的第一款8GB NAND快閃記憶體，預定今年秋季進入生產線正式量產。此外，該社表示除了現在較常使用的2bit/cell規格之外，未來也不排除在19奈米製程的記憶體產品中使用1bit/cell與3bit/cell規格。

由於3bit/cell規格在讀寫速度、耐久性及良率等表現均不如2bit/cell，1bit/cell規格則是使用壽命長、讀寫速度快，但造價昂貴，因此日本媒體推測東芝在短期內不會在19奈米生產線上推出這兩種規格的商用產品，可能會採用與過去幾年相同的策略，僅推出少量樣品或將3bit/cell規格應用於記憶卡市場，1bit/cell規格則是少量運用在其他高階儲存市場中。

這次東芝研發的8GB產品大幅縮小了晶片尺寸，並採用NAND快閃記憶體Toggle DDR2.0高速傳輸介面規格，在智慧型手機或平板電腦等小型封裝產品上可達到16階層的積層設計，未來人們隨身攜帶的3C產品儲存容量將因此更加擴大。（編譯/張嵐霆）

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