東芝與Sandisk合資興建NAND記憶體晶圓廠

東芝(Toshiba)週三(7/14) 宣佈，已於日本四日市(Yokkaichi)開始興建Fab5先進晶圓廠，預計明年春季完工。同時，東芝也與Sandisk簽署合資協定，將共同經營這座Fab5晶圓廠。

東芝表示，隨著智慧型手機與固態硬碟等新應用的興起，興建新廠將能因應NAND快閃記憶體日益增加的需求，並確保東芝和Sandisk能夠快速回應市場並維持其競爭力。

此晶圓廠完成後的面積預計為3.8萬平方公尺，與現有的Fab4廠相當，初期將採用先進的20奈米製程技術。此外，東芝強調，Fab5將以節能省碳的概念興建，能夠較Fab 4減少12%的二氧化碳排放量。

東芝目前在四日市已有四座NAND快閃記憶體晶圓廠。因應市場需求，東芝和Sandisk現正利用Fab4的閒置空間進行擴產，預計Fab5開始量產時，能將Fab4擴充至滿載的產能。

東芝與Sandisk已有10年的合作關係。未來，雙方仍將共同投資NAND記憶體製造並開發先進技術。(編譯/范眠)